обычные технологии микрообработки или способы печати могут быть применены к пленкам swnt на пластике для формирования гибких устройств и схем. Важным компонентом swnt tfts является диэлектрическая прокладка. в идеале, диэлектрики должны обеспечивать высокие емкости для работы с низким напряжением и без гистерезиса, а также с низкой плотностью тока утечки для энергоэффективности.

методы осаждения, которые совместимы с гибкими пластиковыми подложками, также могут иметь решающее значение в зависимости от применения. Некоторые классы трехмерных сшитых органических многослойных слоев, образованных процессами самосборки при комнатной температуре, являются привлекательными из-за больших емкостей, отличных изоляционных свойств и гладких морфологии поверхности.

высокие емкостные диэлектрики также значительно уменьшают подпороговое колебание swnt tfts, что позволяет opeartaion при напряжении даже ниже, чем те, которые будут выведены из различий в емкости. поэтому гистерезис для p-канальных и n-канальных устройств, построенных на двухслойных нанодиэлектриках или органических многослойных пленках, значительно меньше, чем у устройств на более широко исследованных толстых оксидных или полимерных диэлектриках, возможно, из-за уменьшения электрических полей вблизи swnts, поскольку результат более низкого рабочего напряжения и меньше ловушек в диэлектриках.