графен представляет собой один слой графита. Было показано, что малослойный графен является высококристаллическим и полуметаллическим по своим электронным свойствам. Было обнаружено, что атомарная плоскость является амбиполярной с крошечным перекрытием между валентными и зонами проводимости. Когда два -мерный графеновый лист сводится к одномерному листу графена, сводится к одномерному графеновому baboribbon (gnr), поскольку ширина графена уменьшает как квантовое удержание, так и краевые эффекты становятся выраженными. В отличие от ранних исследований, которые указывали на то, что электронные свойства из gnrs были энергетическими щелями во всех gnr. Расчеты проводились с 12-14 пущенной ароматической кольцевой системой, а ширины gnrs составляли ~ 3 нм.

очень высокая мобильность, управляемые по напряжению электронные или дырочные носители, а также настраиваемая запрещенная зона указывают на то, что gnps может быть идеальным для наномасштабной электронной ics и вызвало огромный интерес к крупномасштабному синтезу gnrs.gnrs с энергетическими разрывами, полезными для наноустройств по сравнению с swnts, где одна треть нанотрубок, как ожидается, будет металлической, этот собственный полупроводниковый характер gnrs может значительно упростить ускорение высокопроизводительных быстродействующих полупроводниковых наноустройств. Эффект синтеза в сравнительно больших масштабах был реализован в последнее время, используя процедуру, аналогичную к очистке и разделению шунтов. Процесс начинается с отслоивающего расширяемого графита, сделанного интеркалирующими гранулами размером до 350 мкм с серной кислотой и нитридной кислотой при температуре 1000 ° С в формовочном газе в течение 1 мин, высушивая полученный exfloliated материал в 1,2-дихлорэтане раствор поли-диспергировать gnrs и центрифугировать суспензию и несколько слоев графеновых лент и листов.

измерение транспота показало, что все суб-10nm gnrs были полупроводниками, совсем недавно в двух статьях сообщалось о длинном распаковке cnts, создавая узкие и однородные gnrs.the первые суспендированные моты в концентрированной кремнекислоте, а затем классическое окисление перманганата калия, которое атаковало c = c двойные связи, чтобы обеспечить химическую сторону восстановления gnrs.a, требуется для восстановления электропроводности. Вторая также начиналась с монтов, но распространялась по si-пластине и покрывалась полипропиленом. PMMA отслаивалась и подвергалась воздействию плазмы, которая была вытравлена была подготовлена ​​пролонгированная часть слоя mwnts.gnrs с шириной под-10 нм и предполагают, что возможно применение широкомасштабных хорошо выровненных полупроводниковых наноустройств для практических применений.