Стабильно настроенный раствор масляной дисперсии родия

(7440-16-6) высококачественных порошков на основе родия для продажи с высоким качеством и чистотой 99,95%.

нанопорошки родия rh имеют 20-30 нм с использованием чистоты 99,95% в качестве электрического инструмента и химической промышленности.

использование высококачественного кремниевого карбида кремния для полупроводников.

с увеличением ультразвукового времени и концентрацией поверхностно-активного вещества порошок дисперсия после первого увеличения и затем уменьшается.

тонкий hw nano для использования более многофункциональных наноматериалов углеродных нанотрубок и стоимости

ультратонкие наночастицы цинка широко используются в качестве эффективного катализатора.

Новые металлические композиционные материалы с наночастицами с покрытием из никеля - это материал поглотителя электромагнитной волны.

износостойкие, кислотно-щелочеустойчивые, коррозионно-стойкие, термостойкие, с высокой прочностью и кровеносной кровлей

аморфный порошок бора, 1-2um, 99%, коричневый порошок, широко используемый в полупроводниковой промышленности.

высокоактивные наночастицы железа широко используются в поглощающих материалах.

нанопроволоки оксида цинка / zno nws, как идеальный материал для приготовления устройств типа контактного типа schottky hongwu nanometer является профессиональным производителем, поставщиком и экспортером в Китае для наноматериалов в Китае. наша спецификация нанопроводов оксида цинка zno: 1. d: 20-80 нм, l: 2um, 99,9% 2. d: u0026 lt; 50 нм, l: 1-2um, 99,9% 3. d: u0026 lt; 120 нм, l: 1-3um, 99,9% поскольку обнаружение нуклеиновых кислот все более широко применяется в технологии генотипирования, клинической диагностике и биомедицинских исследованиях и в других областях, традиционная оптическая система обнаружения и технология реального времени pcr имеют некоторые недостатки, такие как высокая стоимость, больше не могут удовлетворить спрос на устройства требуют тестирования с высокой экономичностью, высокой скоростью и высокой чувствительностью. напротив, одномерный материал, представленный немаркированным устройством обнаружения, из-за высокой удельной площади поверхности, может предложить возможность для недорогого, простого и эффективного тестирования dna. Фет на основе полупроводниковых нанопроводов является таким большим потенциальным устройством. в котором изменение межэлектродно-полупроводникового интерфейса высот барьера шоттки (sbh) может модулировать производительность устройства, что является «горячей точкой» для исследователей. нанопровода оксида цинка / zno nws с превосходными полупроводниковыми и пьезоэлектрическими характеристиками, является идеальным материалом для подготовки устройств контактного типа schottky. исследователи национального центра нанонауки и других учреждений использовали внешние напряжения на нанопроводах оксида цинка для получения пьезоэлектрического потенциала. то на основе пьезоэлектрического эффекта потенциал может быть увеличен или уменьшен эффект взаимодействия sbh-линзы с транспортировкой носителя, чтобы изменить свойства устройств на основе нанопроволоки. кроме того, делая определенную гибридизацию между зондовым комплементарным мишенью cdna и адсорбированным однонаправленным dna (ssdna) нанопроводом, устройство может выполнять функцию селективного обнаружения. экспериментальные результаты этой работы показали, что когда сжимающая деформация, приложенная к датчику dna на основе нанопроволоки на основе оксида цинка, стала -0,59%, относительная величина отклика тока увеличилась на 454%. это полностью иллюстрирует, что модифицированный метод, использующий эффект электроники пьезоэлектрического устройства, может значительно улучшить характеристики детектирования сенсора-датчика типа zno nanowire. по коррине

Карбид кремния имеет характеристики коррозионной стойкости, высокотемпературной устойчивости, высокой прочности, хорошей теплопроводности и воздействия. Сопротивление. В то же время он имеет преимущества высокой теплопроводности, сопротивления окислению и хорошей термальной стабильности Он часто используется в упаковочных материалах в микроэлектронике промышленность.