одномерный материал zno оксид цинка нанопроволок для антибактериального использования

HONGWU NANO фабрика предлагает нанопроволоки Zic Oxide Nanowires. может применяться для катализа, антибактериальных средств, датчиков и т. д.

zno nanowires - это новый вид полупроводниковых материалов.

нанопроволоки оксида цинка могут поставлять диаметр с длиной 50 нм или 100 нм, длиной 5 мкм, широко используемой в качестве чувствительных материалов.

нанопроволоки оксида цинка / zno nws, как идеальный материал для приготовления устройств типа контактного типа schottky hongwu nanometer является профессиональным производителем, поставщиком и экспортером в Китае для наноматериалов в Китае. наша спецификация нанопроводов оксида цинка zno: 1. d: 20-80 нм, l: 2um, 99,9% 2. d: u0026 lt; 50 нм, l: 1-2um, 99,9% 3. d: u0026 lt; 120 нм, l: 1-3um, 99,9% поскольку обнаружение нуклеиновых кислот все более широко применяется в технологии генотипирования, клинической диагностике и биомедицинских исследованиях и в других областях, традиционная оптическая система обнаружения и технология реального времени pcr имеют некоторые недостатки, такие как высокая стоимость, больше не могут удовлетворить спрос на устройства требуют тестирования с высокой экономичностью, высокой скоростью и высокой чувствительностью. напротив, одномерный материал, представленный немаркированным устройством обнаружения, из-за высокой удельной площади поверхности, может предложить возможность для недорогого, простого и эффективного тестирования dna. Фет на основе полупроводниковых нанопроводов является таким большим потенциальным устройством. в котором изменение межэлектродно-полупроводникового интерфейса высот барьера шоттки (sbh) может модулировать производительность устройства, что является «горячей точкой» для исследователей. нанопровода оксида цинка / zno nws с превосходными полупроводниковыми и пьезоэлектрическими характеристиками, является идеальным материалом для подготовки устройств контактного типа schottky. исследователи национального центра нанонауки и других учреждений использовали внешние напряжения на нанопроводах оксида цинка для получения пьезоэлектрического потенциала. то на основе пьезоэлектрического эффекта потенциал может быть увеличен или уменьшен эффект взаимодействия sbh-линзы с транспортировкой носителя, чтобы изменить свойства устройств на основе нанопроволоки. кроме того, делая определенную гибридизацию между зондовым комплементарным мишенью cdna и адсорбированным однонаправленным dna (ssdna) нанопроводом, устройство может выполнять функцию селективного обнаружения. экспериментальные результаты этой работы показали, что когда сжимающая деформация, приложенная к датчику dna на основе нанопроволоки на основе оксида цинка, стала -0,59%, относительная величина отклика тока увеличилась на 454%. это полностью иллюстрирует, что модифицированный метод, использующий эффект электроники пьезоэлектрического устройства, может значительно улучшить характеристики детектирования сенсора-датчика типа zno nanowire. по коррине

наночастицы диоксида ванадия являются хорошим материалом с фазовым переходом, который может быть легирован вольфрамом для получения интеллектуальных фотохромных пленочных материалов.

карбид бора, высокая твердость, износостойкость, большое сечение поглощения нейтронов, широко используемое в контрольном ядерном материале.

Раствор коллоидного золота обладает уникальными свойствами, такими как хорошие оптические характеристики, биосовместимость и каталитическая активность. & nbsp;

Nano .Порошок оксида меди обладают такими свойствами, как оптика, электричество, магнетизм, тепло, катализ и механики, и обладает широкими перспективами применения в полях печати и окрашивания, стекла, керамики, медицины и катализами.

hw nano производит наночастицы cu2o. Окись меди для фотокаталитической деградации органических загрязнителей.

hw nano и поставку высококачественного нанопорошка оксида вольфрама цезия cs0.32wo3.

20 нм 99,99% pt наночастицы водная дисперсия

нанопластинчатый порошок представляет собой тонкий порошок платины с хорошими каталитическими свойствами, и это имеет истинную площадь поверхности, намного превышающую геометрическую площадь поверхности электрод.